|
Tag
|
Ind1
|
Ind2
|
Isi
|
|
LEADER
|
|
|
00950cam a2200253 a 4500
|
|
001
|
|
|
INLIS000000000331362
|
|
005
|
|
|
20111020081008.08
|
|
006
|
|
|
a####g#b###z00010#
|
|
007
|
|
|
ta
|
|
008
|
|
|
111020s2009####io#####g#b###z00010#ind##
|
|
035
|
#
|
#
|
$a 0010-52291060
|
|
040
|
#
|
#
|
$a #a JKPNPNA$b ind
|
|
090
|
#
|
#
|
$a CB [G] - D.10 09-183
|
|
100
|
1
|
#
|
$a Tossin Alamsyah, A.
|
|
245
|
1
|
0
|
$a Pemodelan Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) Si / Si 1-x Gex berdasarkan pengontrolan profile graded silikon dan germanium pada basis / $c Oleh A. Tossin Alamsyah
|
|
260
|
#
|
#
|
$a $c 2009
|
|
300
|
#
|
#
|
$a ix, 59 lembar ; $c 29 cm.
|
|
500
|
#
|
#
|
$a Penelitian disahkan oleh P2M Politeknik Negeri Jakarta.
|
|
504
|
#
|
#
|
$a Termasuk bibliografi.
|
|
710
|
2
|
#
|
$a Politeknik Negeri Jakarta. $b Penelitian dan Pengabdian Masyarakat.
|
|
850
|
#
|
#
|
$a JKPNPNA
|
|
900
|
#
|
#
|
$a 00673nbm**2200012*a*4500
|
|
902
|
#
|
#
|
$a INDOLI12:20-OCT-11*INDOLI12:20-OCT-11*INDOLI12:20-OCT-11*
|
|
999
|
#
|
#
|
$a 183/DM[G]/D/09
|